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人工智能

姚顺雨:未来三至五年中国AI超越美国概率不及20%

来源:路透社2026-01-12 16:2524

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(北京综合讯)中国顶尖人工智能科研人员认为,尽管因缺乏晶片制造设备卡脖子,中国有望缩小与美国的技术差距,但未来三至五年,中国企业弯道超车美国科企的概率不到20%。

据路透社报道,腾讯首席人工智能(AI)科学家姚顺雨星期六(1月10日)在北京举行的AGI-Next前沿峰会上说,未来三到五年,中国企业很有可能成为全球领先的AI公司,但缺乏先进的晶片制造设备是主要技术障碍。

曾任美国OpenAI高级研究员的姚顺雨指出,中国目前在电力和基础设施方面具有显著优势,但主要瓶颈在于产能,包括光刻机和软件生态系统。

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路透社上月报道,中国已完成一台光刻机的工作原型,这个设备理论上能生产可与西方媲美的尖端半导体晶片。不过知情者称,这个设备目前尚未成功生产出可用晶片,且在2030年前料难以实现量产。

姚顺雨及其他中国AI业界领袖在峰会上也指出,美国在基础设施上的大量投资使它在算力方面仍保持优势。阿里巴巴Qwen技术负责人林俊旸称,相比之下,中国在资金方面相对紧张,仅交付就可能消耗大部分计算资源。

据彭博社报道,林俊旸在峰会上直言,未来三到五年,任何中国公司通过根本性突破超越OpenAI和Anthropic等美企的可能性不到20%。这一观点也获腾讯和智谱AI等业内同行的认同。

中国芯片“去美化”进展惊人!实力超强爆发 股价三天狂涨28%

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中国在推动芯片自主化方面再获新进展,工信部最新数据显示,截至2025年底,中国半导体设备国产化比例提前一年突破50%大关,且7纳米制程产线验证速度较原计划快了一倍,这一利好消息刺激中国芯片股强势大涨,设备概念股指数单日大涨12%,三日累计涨幅飙升28%,受到市场高度关注。

中国去年新建及扩建的12英寸晶圆厂,设备招标总金额为430亿元人民币,其中中国设备约占整体55%,金额约达236亿元。若细分设备,蚀刻设备的国产化比例已达65%,薄膜沉积设备也达61%,清洗设备则升至63%。

先进制程方面也取得进展,尽管中国芯片业无法获得先进制程所需的极紫外光刻(EUV)设备,但通过不断改进深紫外光刻(DUV)设备,有消息称中芯国际7纳米试验生产线原定于2026年第二季度完成验证,现已提前至2025年底,首批256兆位静态随机存取存储器(Mb SRAM)的良品率突破42%,较原计划高出8个百分点。

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普遍认为,中国国产设备在成熟制程上已具备替代能力,但目前先进制程仍依赖全球合作,要进入更先进领域并非易事。智库战略与国际研究中心(CSIS)评论指出,美国的制裁措施已产生反作用,但要将(相关比例)提升至60%以上会比较困难。

中国芯片产业在2025年交出亮眼成绩单,这波由政策和技术驱动的利好不仅带动股价暴涨,也显示出美国制裁反而加速了其供应链韧性的增强,但在先进领域仍需全球合作的背景下,如何应对后续更高难度的技术攻关,仍是该产业长期面临的挑战。

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