拜登政府为强化美国本土半导体优势，近期祭出全面出口管制措施，追杀中国大陆芯片业。韩国机构调查，美国半导体竞争力居首位，而韩国虽拥有內存的高市占率，但整体竞争力排名相对落后，输给中国台湾、日本和中国大陆，在列入调查的六个国家或地区中，只排名第五。
韩媒中央日报报导，韩国产业经贸研究院（KIET）发布「半导体产业价值链竞争力诊断和政策方向」的调查报告，内容提到，韩国在內存市场居领导地位，但在半导体综合竞争力却居于劣势，在六个列入调查国家中，只排名第五位，落后台湾、日本、中国大陆。
半导体总合竞争力排名，美国还是拿下第一、为96分，而二到五名依序为中国台湾79分、日本78分、中国74分、韩国71分、欧盟66分。
在所有产品细项中，美国系统半导体竞争力高达99分，內存91分也很优，所有产品调查都具有最高水准的竞争力。
台湾內存竞争力仅69分略逊一筹，但系统半导体竞争力高达85分。
韩国內存竞争力87分被评为极具竞争力，不过系统半导体竞争力仅63分，在评比的六个国家区域中，敬陪末座。
报告中强调，在晶圆代工领域，韩国必须透过活化代工企业和IC设计业者交流，来促进成长和需求，进而扩大市场。在制造设备和材料领域，近期南韩国产化比重虽逐渐攀高，但需藉由半导体企业间合作，催生国际化的设备、材料公司。
韩国全国经济人联合会（FKI）上周公布分析报告指出，1~9月全球市值前100大的半导体企业，中国大陆囊括42家，逾4成比重称霸，美国有28家入榜、中国台湾10家、日本7家，而半导体强国韩国只有3家入列，即三星、SK Hynix与SK Square。
而市值排名来看，三星从4年前的第一掉至第三，台积电则从先前老三进级老大宝座。
三星4奈米良率低落 S23旗舰机改采其他款
韩国科技大厂三星电子（Samsung）4奈米晶圆代工良率不高，无法解决性能及过热问题，其下一代Exynos处理器将改以5奈米制程生产，且改用于中阶机种，而Galaxy S23新旗舰机则采高通委请台积电以4奈米晶圆代工的Snapdragon 8 Gen 2应用处理器。
韩媒The Elec报导，三星Exynos处理器采用4奈米和5奈米制程，但由于4奈米的良率非常低落，性能和过热的问题仍然无法克服，因此三星计划未来预计推出的Exynos 2300将采用5奈米制程。
报导指出，高通Snapdragon 8 Gen 2应用处理器采用台积电4奈米制程，与5奈米的Exynos 2300相比，整体性能更上一层楼。据消息人士透露，因此三星不得不选择Snapdragon 8 Gen 2作为S23的处理器，而Exynos 2300则用于中阶机种。
另有消息人士指出，三星认为4奈米只是5奈米过渡3奈米的制程，投入的资源可能很少，但该人士补充，殊不知客户对4奈米的需求却高于预期。
三星芯片部门主管庆桂显（Kyung Kye-hyun）曾于9月承认，在4奈米与5奈米进度和良率方面，都双双落后竞争对手台积电。
