哈尔滨工业大学（哈工大）近日宣布，已成功研发出13.5纳米极紫外光（EUV）光源技术，打破此领域由美国企业垄断的局面，也为中国的国产EUV光刻机制造点亮了一线曙光。此消息一出，对于掌握EUV光刻机主导地位的ASML（艾司摩尔）来说始料未及，该公司先前曾强调，EUV机台的开发仰赖超过40个国家、数百家供应商技术的汇集。
外媒引述Northcape Capital投资组合经理Theo Maas指出，中国大陆尚未取得技术性突破，其半导体技术仍落后中国台湾10年。
中芯国际虽在汽车产业和其他工业应用的成熟制程取得进展，但在7纳米以下先进制程芯片仍远落后晶圆代工巨头数年。
不过，新加坡毕盛资产管理（APS Asset Management）创办人黄国辉对中芯国际抱持乐观态度，认为其具备本土优势，有机会与台积电在全球竞争，一旦中国大陆突破国产EUV光刻机技术，超越台积电的目标将不再遥不可及。
据网易报导，哈工大攻克13.5纳米EUV光源技术，为国内在该领域跨出关键一步。值得注意的是，哈工大采用粒子加速产生紫光，与ASML采用的美国光源技术和德国徕卡的透镜技术不同，展现更具突破性的创新。
除了EUV光源技术，EUV光刻机的生产制造还包括物镜系统、双晶工作台和控制系统等关键技术。目前，哈工大已掌握七项光刻机核心技术，取得丰硕成果。
中芯国际和华为等中国企业已实现7纳米芯片生产，但要突破3纳米等更先进制程，仍需仰赖EUV光刻机。哈工大的光源技术突破，虽仅是EUV设备自主化的第一步，未来有望为中国的国产芯片发展注入新的希望。
